Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.
Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с
Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby
Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
EANCode
|
8806095300276
|
TBW твердотельного накопителя
|
600
|
Ёмкость накопителя
|
1000
|
Интерфейс
|
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
|
Кэш-память
|
HMB
|
Назначение
|
Клиентские ПК
|
Скорость последовательного чтения
|
5000
|
Скорость последовательной записи
|
4200
|
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
|
680000
|
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
|
800000
|
Средняя наработка на отказ
|
1500000
|
Тип памяти
|
V-NAND
|
Форм-фактор
|
M.2 2280
|